UMZ1NT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SC-70-6

トランジスタの極性：

PNP

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

60 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

7 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.25 V

最大DCコレクタ電流：

0.2 A

ゲイン帯域幅積fT：

114 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

UMZ1N

高さ：

0.9 mm

長さ：

2 mm

包装：

リール

幅：

1.25 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

0.2 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

200

Pd-消費電力：

187 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000988 oz

Tags

UMZ1NT, UMZ1N, UMZ1, UMZ