APTM100A13SG

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

JBoss：

Y

製品：

パワーMOSFETモジュール

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

取り付けスタイル：

スクリューマウント

パッケージ/ケース：

SP-6

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

包装：

チューブ

構成：

独身

高さ：

21.9 mm

長さ：

108 mm

幅：

62 mm

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

立ち下がり時間：

24 ns

Id-連続ドレイン電流：

65 A

Pd-消費電力：

1.25 kW

製品タイプ：

ディスクリート半導体モジュール

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

130 mOhms

立ち上がり時間：

9 ns

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

商標名：

POWER MOS 7

典型的なターンオフ遅延時間：

50 ns

典型的なターンオン遅延時間：

9 ns

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1 kV

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

単位重量：

3.880136 oz

Tags

APTM100A13, APTM100A1, APTM100A, APTM100, APTM10, APTM1, APTM, APT