PSMN102-200Y,115

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

LFPAK56-5

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

200 V

Id-連続ドレイン電流：

21.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

102 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

113 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.1 mm

長さ：

5 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.1 mm

ブランド：

Nexperia

立ち下がり時間：

28 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

29.5 ns

ファクトリーパックの数量：

1500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

33 ns

典型的なターンオン遅延時間：

14.2 ns

単位重量：

0.003037 oz

Tags

PSMN102-2, PSMN10, PSMN1, PSMN, PSM