IXFP76N15T2

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

150 V

Id-連続ドレイン電流：

76 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

20 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

97 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

350 W

チャネルモード：

強化

商標名：

HiPerFET

包装：

チューブ

高さ：

16 mm

長さ：

10.66 mm

シリーズ：

IXFP76N15

タイプ：

TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

幅：

4.83 mm

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

50 S

立ち下がり時間：

14 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

19 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

25 ns

典型的なターンオン遅延時間：

17 ns

単位重量：

0.012346 oz

Tags

IXFP7, IXFP, IXF