SSM6J212FE,LF

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

ES6-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

94 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

14.1 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

500 mW (1/2 W)

構成：

独身

包装：

リール

高さ：

0.55 mm

長さ：

1.6 mm

シリーズ：

SSM6J212

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

1.2 mm

ブランド：

東芝

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

4000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.001270 oz

Tags

SSM6J212, SSM6J21, SSM6J2, SSM6J, SSM6, SSM