TSM6502CR RLG

製品属性

属性値

メーカー：

台湾積体電路

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PDFN56-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

5.4 A, 4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

28 mOhms, 73 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V, - 4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

20.8 nC, 9.5 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

40 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

ブランド：

台湾積体電路

立ち下がり時間：

18 ns, 44 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

25 ns, 28 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

18 ns, 44 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7.4 ns, 4 ns

Tags

TSM650, TSM65, TSM6, TSM