PN4209

製品属性

属性値

メーカー：

セントラルセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-92-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

15 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

15 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

4.5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.6 V

ゲイン帯域幅積fT：

850 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

PN4209

DC電流ゲインhFEMax：

120 at 10 mA, 300 mV

包装：

バルク

ブランド：

セントラルセミコンダクター

連続コレクタ電流：

200 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

35 at 1 mA, 500 mV

Pd-消費電力：

625 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

PBFREE PN4209

Tags

PN42, PN4