CSD17312Q5

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

VSON-Clip-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

100 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.7 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

28 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

3.2 W

構成：

独身

商標名：

NexFET

包装：

リール

高さ：

1 mm

長さ：

6 mm

シリーズ：

CSD17312Q5

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

5 mm

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

200 S

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.004476 oz

Tags

CSD1731, CSD173, CSD17, CSD1, CSD