IRF7807VD2PBF

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

8.3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

25 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

9.5 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.5 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

高さ：

1.75 mm

長さ：

4.9 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

FETKYMOSFETとショットキーダイオード

幅：

3.9 mm

ブランド：

インフィニオン/ IR

立ち下がり時間：

2.2 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

1.2 ns

ファクトリーパックの数量：

95

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

11 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6.3 ns

パーツ番号エイリアス：

SP001575258

単位重量：

0.019048 oz

Tags

IRF7807VD2, IRF7807VD, IRF7807V, IRF7807, IRF780, IRF78, IRF7, IRF