NDS8852H

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

N

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

4.3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

80 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.5 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

高さ：

1.75 mm

長さ：

4.9 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

幅：

3.9 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

立ち下がり時間：

5 ns, 8 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

13 ns, 21 ns

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

21 ns, 21 ns

典型的なターンオン遅延時間：

10 ns, 9 ns

単位重量：

0.006596 oz

Tags

NDS885, NDS88, NDS8, NDS