Jan2N2605/TR

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

N

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-206AB-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

60 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

70 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.3 V

最大DCコレクタ電流：

30 mA

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

DC電流ゲインhFEMax：

450 at 500 uA, 5 V

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

30 at 10 mA, 5 V

Pd-消費電力：

400 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

Jan2N26, Jan2N2, Jan2N, Jan2, JAN