2N5629 PBFREE

製品属性

属性値

メーカー：

セントラルセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-3-2

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

100 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

100 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

7 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

2 V

ゲイン帯域幅積fT：

1 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

シリーズ：

2N56

DC電流ゲインhFEMax：

100 at 8 A, 2 V

包装：

チューブ

ブランド：

セントラルセミコンダクター

連続コレクタ電流：

16 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

25 at 8 A, 2 V

Pd-消費電力：

200 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

20

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2N5629, 2N562, 2N56, 2N5