IXDN55N120D1

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

IGBTトランジスタ

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

パッケージ/ケース：

SOT-227B-4

取り付けスタイル：

SMD / SMT

構成：

シングルデュアルエミッター

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

1200 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

2.3 V

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

IXDN55N120

包装：

チューブ

連続コレクタ電流IcMax：

100 A

高さ：

9.6 mm

長さ：

38.23 mm

幅：

25.42 mm

ブランド：

IXYS

連続コレクタ電流：

100 A

製品タイプ：

IGBTトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

10

サブカテゴリ：

IGBT

単位重量：

1.058219 oz

Tags

IXDN55N120D, IXDN55, IXDN5, IXDN, IXD