RW1E015RPT2R

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-563-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

1.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

270 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

6.5 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

700 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.65 mm

長さ：

1.7 mm

製品：

MOSFET

シリーズ：

RW1E015RP

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

タイプ：

パワーMOSFET

幅：

1.4 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

1.2 S

立ち下がり時間：

13 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

8 ns

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

40 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12 ns

パーツ番号エイリアス：

RW1E015RP

単位重量：

0.000106 oz

Tags

RW1E015, RW1E01, RW1E0, RW1E, RW1