FDN308P_F154

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SSOT-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

1.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

136 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

Qg-ゲートチャージ：

3.8 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

500 mW (1/2 W)

構成：

独身

包装：

リール

高さ：

1.12 mm

長さ：

2.9 mm

シリーズ：

FDN308P

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

1.4 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

12 S

立ち下がり時間：

8 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

10 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

12 ns

典型的なターンオン遅延時間：

8 ns

単位重量：

0.001058 oz

Tags

FDN308P, FDN308, FDN30, FDN3, FDN