MRF8P20161HSR3

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

65 V

利得：

16.5 dB

出力電力：

37 W

最低動作温度：

- 30 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-780S-4

包装：

リール

構成：

独身

動作周波数：

1.88 GHz to 2.025 GHz

シリーズ：

MRF8P20161H

ブランド：

NXP /フリースケール

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.8 V

パーツ番号エイリアス：

935317234128

単位重量：

0.228180 oz

Tags

MRF8P2016, MRF8P20, MRF8P2, MRF8P, MRF8, MRF