IPN60R3K4CEATMA1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-223-4

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

2.6 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

7.96 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

4.6 nC

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

5 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

CoolMOS

包装：

リール

高さ：

1.6 mm

長さ：

6.5 mm

シリーズ：

CoolMOS CE

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

3.5 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

立ち下がり時間：

60 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

10 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

40 ns

典型的なターンオン遅延時間：

8 ns

パーツ番号エイリアス：

IPN60R3K4CE SP001434888

単位重量：

0.003951 oz

Tags

IPN60R3, IPN60, IPN6, IPN