NSS40300DDR2G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOIC-Narrow-8

トランジスタの極性：

PNP

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 40 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 40 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 7 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.135 V

最大DCコレクタ電流：

- 6 A

ゲイン帯域幅積fT：

100 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

NSS40300DD

DC電流ゲインhFEMax：

250 at 10 mA, 2 V

高さ：

1.5 mm

長さ：

5 mm

包装：

リール

幅：

4 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

- 3 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

250

Pd-消費電力：

783 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.005044 oz

Tags

NSS40300, NSS403, NSS40, NSS4, NSS