SIZ346DT-T1-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerPAIR-3x3-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

17 A, 30 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

11.5 mOhms, 28.5 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.2 V, 2.4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 16 V, 20 V

Qg-ゲートチャージ：

6.6 nC, 10 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

16 W, 16.7 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

シリーズ：

SIZ

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

17 S

立ち下がり時間：

7 ns, 8 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

15 ns, 40 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

7 ns, 17 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7 ns, 8 ns

Tags

SIZ34, SiZ3, SiZ