PDTD113ET,215

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-プリバイアス

JBoss：

Y

構成：

独身

トランジスタの極性：

NPN

一般的な入力抵抗：

1 kOhms

典型的な抵抗比：

1

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

33

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

連続コレクタ電流：

500 mA

ピークDCコレクタ電流：

500 mA

Pd-消費電力：

250 mW

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

包装：

リール

エミッタ-ベース電圧VEBO：

10 V

高さ：

1 mm

長さ：

3 mm

幅：

1.4 mm

ブランド：

Nexperia

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ-プリバイアス

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

PDTD113ET T/R

単位重量：

0.000282 oz

Tags

PDTD113ET, PDTD113E, PDTD113, PDTD11, PDTD, PDT