BLW50F

製品属性

属性値

メーカー：

Advanced Semiconductor、Inc。

製品カテゴリ：

RFバイポーラトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

バイポーラパワー

テクノロジー：

Si

トランジスタの極性：

NPN

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

19

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

55 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

4 V

連続コレクタ電流：

3.25 A

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

取り付けスタイル：

スクリューマウント

パッケージ/ケース：

SOT-123

包装：

トレイ

動作周波数：

30 MHz

タイプ：

RFバイポーラパワー

ブランド：

Advanced Semiconductor、Inc。

最大DCコレクタ電流：

7.5 A

Pd-消費電力：

87 W

製品タイプ：

RFバイポーラトランジスタ

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

BLW5, BLW