2N5115e3

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

JFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-18-3

トランジスタの極性：

Pチャネル

構成：

独身

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

30 V

Vgs = 0でのドレイン-ソース電流：

- 15 mA to - 60 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

100 Ohms

Pd-消費電力：

500 mW

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

包装：

バルク

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

ゲート-ソースカットオフ電圧：

3 V to 6 V

最大ドレインゲート電圧：

30 V

製品タイプ：

JFET

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2N5115, 2N511, 2N51, 2N5