IXTX20N150

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

PLUS-247-3

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1.5 kV

Id-連続ドレイン電流：

20 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

215 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.25 kW

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

高さ：

21.34 mm

長さ：

16.13 mm

シリーズ：

IXTX20N150

タイプ：

高電圧パワーMOSFET

幅：

5.21 mm

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

14 S

立ち下がり時間：

33 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

30 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

80 ns

典型的なターンオン遅延時間：

35 ns

単位重量：

0.056438 oz

Tags

IXTX20, IXTX2, IXTX, IXT