SI4532CDY-T1-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

4.3 A, 6 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

47 mOhms, 89 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

6 nC, 7.8 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.78 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

シリーズ：

SI4

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

7 S

立ち下がり時間：

6 ns, 7.7 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

12 ns, 13 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

14 ns, 17 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5.5 ns, 7 ns

パーツ番号エイリアス：

SI4532CDY-GE3

単位重量：

0.006596 oz

Tags

SI4532CDY-T1, SI4532CDY-T, SI4532C, SI4532, SI453, SI45, SI4