MJD42CG

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

パッケージ/ケース：

DPAK-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

100 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

100 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

最大DCコレクタ電流：

6 A

ゲイン帯域幅積fT：

3 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

MJD42C

高さ：

2.38 mm

長さ：

6.73 mm

包装：

チューブ

幅：

6.22 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

30 at 300 mA, 4 V, 15 at 3 A, 4 V

Pd-消費電力：

1.75 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

75

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.009185 oz

Tags

MJD42, MJD4, MJD