FCH190N65F-F085

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

20.6 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

401 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

63 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

208 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

商標名：

SuperFET II

包装：

チューブ

高さ：

20.82 mm

長さ：

15.87 mm

シリーズ：

FCH190N65F_F085

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.82 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

立ち下がり時間：

5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

14.5 ns

ファクトリーパックの数量：

450

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

64 ns

典型的なターンオン遅延時間：

25 ns

パーツ番号エイリアス：

FCH190N65F_F085

単位重量：

0.225401 oz

Tags

FCH190N65F-F, FCH190, FCH19, FCH1, FCH