SI4431BDY-T1-E3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

7.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

30 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

20 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.5 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

高さ：

1.75 mm

長さ：

4.9 mm

シリーズ：

SI4

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

3.9 mm

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

18 S

立ち下がり時間：

47 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

10 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

70 ns

典型的なターンオン遅延時間：

10 ns

パーツ番号エイリアス：

SI4431BDY-E3

単位重量：

0.006596 oz

Tags

SI4431BDY-T1-E, SI4431BDY-T, SI4431BD, SI4431B, SI4431, SI443, SI44, SI4