IRF3205ZLPBF

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-262-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

55 V

Id-連続ドレイン電流：

110 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

6.5 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

76 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

170 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

高さ：

9.45 mm

長さ：

10.2 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

HEXFETパワーMOSFET

幅：

4.5 mm

ブランド：

インフィニオン/ IR

フォワード相互コンダクタンス-最小：

71 S

立ち下がり時間：

67 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

95 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

45 ns

典型的なターンオン遅延時間：

18 ns

パーツ番号エイリアス：

SP001564660

単位重量：

0.073511 oz

Tags

IRF3205Z, IRF3205, IRF320, IRF32, IRF3, IRF