RS1E350BNTB

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

HSOP-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

35 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.2 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

185 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

35 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

立ち下がり時間：

105 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

215 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

235 ns

典型的なターンオン遅延時間：

45 ns

パーツ番号エイリアス：

RS1E350BN

Tags

RS1E350B, RS1E35, RS1E3, RS1E, RS1