SSM6L61NU,LF

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

UDFN-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

108 mOhms, 157 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

400 mV, 500 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V, 12 V

Qg-ゲートチャージ：

3.6 nC, 6.74 nC

最低動作温度：

-

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.75 mm

長さ：

2 mm

製品：

MOSFET

シリーズ：

UMOSIX

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

タイプ：

シリコンP- / NチャネルMOS

幅：

2 mm

ブランド：

東芝

フォワード相互コンダクタンス-最小：

12 S, 9.5 S

立ち下がり時間：

-

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

-

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

45 ns, 54 ns

典型的なターンオン遅延時間：

25 ns, 21 ns

Tags

SSM6L6, SSM6L, SSM6, SSM