BSS123N H6433

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

190 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.4 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

800 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

900 pC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

500 mW (1/2 W)

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.1 mm

長さ：

2.9 mm

シリーズ：

BSS123

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

1.3 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

410 mS

立ち下がり時間：

22 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

3.2 ns

ファクトリーパックの数量：

10000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

7.4 ns

典型的なターンオン遅延時間：

2.3 ns

パーツ番号エイリアス：

BSS123NH6433XT BSS123NH6433XTMA1 SP000939268

単位重量：

0.000282 oz

Tags

BSS123NH64, BSS123NH, BSS123N, BSS123, BSS12, BSS1, BSS