CSD18542KCS

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

170 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

44 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

200 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

NexFET

包装：

チューブ

高さ：

16.51 mm

長さ：

10.67 mm

シリーズ：

CSD18542KCS

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.7 mm

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

198 S

立ち下がり時間：

21 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

5 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

18 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6 ns

単位重量：

0.211644 oz

Tags

CSD18542, CSD1854, CSD185, CSD18, CSD1, CSD