STGD3NB60SDT4

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

IGBTトランジスタ

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

パッケージ/ケース：

TO-252-3

取り付けスタイル：

SMD / SMT

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

600 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.5 V

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

25℃での連続コレクタ電流：

6 A

Pd-消費電力：

48 W

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

STGD3NB60SD

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

連続コレクタ電流IcMax：

6 A

高さ：

2.4 mm

長さ：

6.6 mm

幅：

6.2 mm

ブランド：

STMicroelectronics

連続コレクタ電流：

3 A

ゲートエミッタリーク電流：

+/- 100 nA

製品タイプ：

IGBTトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

IGBT

単位重量：

0.139332 oz

Tags

STGD3NB60SD, STGD3NB60S, STGD3NB, STGD3N, STGD3, STGD, STG