SPB80N06S-08

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

55 V

Id-連続ドレイン電流：

80 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

8 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

300 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

商標名：

SIPMOS

包装：

リール

高さ：

4.4 mm

長さ：

10 mm

シリーズ：

SIPMOS

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

9.25 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

73 S

立ち下がり時間：

32 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

53 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

54 ns

典型的なターンオン遅延時間：

22 ns

パーツ番号エイリアス：

SP000084808 SPB80N06S08ATMA1 SPB8N6S8XT

単位重量：

0.139332 oz

Tags

SPB80N06S, SPB80N06, SPB80N0, SPB80N, SPB8, SPB