BSZ900N20NS3 G

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PG-TSDSON-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

200 V

Id-連続ドレイン電流：

15.2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

90 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

8.7 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

62.5 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

OptiMOS

包装：

リール

高さ：

1.1 mm

長さ：

3.3 mm

シリーズ：

OptiMOS 3

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

3.3 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

8 S

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

10 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5 ns

パーツ番号エイリアス：

BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ9N2NS3GXT SP000781806

単位重量：

0.003527 oz

Tags

BSZ900N2, BSZ9, BSZ