IXTY26P10T

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

26 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

90 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

15 V

Qg-ゲートチャージ：

52 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

150 W

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchP

包装：

チューブ

高さ：

2.38 mm

長さ：

6.22 mm

シリーズ：

IXTY26P10

タイプ：

TrenchPパワーMOSFET

幅：

6.73 mm

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

10 S

立ち下がり時間：

11 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

15 ns

ファクトリーパックの数量：

70

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

37 ns

典型的なターンオン遅延時間：

20 ns

単位重量：

0.081130 oz

Tags

IXTY2, IXTY, IXT