ZXMS6004DGTA

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-223-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

1.3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

350 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

700 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

5 V

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 125 C

Pd-消費電力：

3 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

IntelliFET

包装：

リール

シリーズ：

ZXMS6004

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

15 us

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

10 us

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

45 us

典型的なターンオン遅延時間：

5 us

単位重量：

0.003951 oz

Tags

ZXMS6004DG, ZXMS6004D, ZXMS6004, ZXMS6, ZXMS, ZXM