SI9407BDY-T1-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

4.7 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

120 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

14.5 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

5 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

シリーズ：

SI9

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

8.5 nS

立ち下がり時間：

30 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

70 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

35 ns, 40 ns

典型的なターンオン遅延時間：

10 ns, 30 ns

パーツ番号エイリアス：

SI9407BDY-GE3

単位重量：

0.017870 oz

Tags

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