TK12E80W,S1X

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

800 V

Id-連続ドレイン電流：

11.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

380 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

23 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

165 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

DTMOSIV

シリーズ：

TK12E80W

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

東芝

立ち下がり時間：

11 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

40 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

130 ns

典型的なターンオン遅延時間：

70 ns

単位重量：

0.063493 oz

Tags

TK12E8, TK12E, TK12, TK1