SSM3J56ACT,L3F

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

CST3-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

1.4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

1.6 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

500 mW (1/2 W)

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.38 mm

長さ：

1 mm

シリーズ：

SSM3J56

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

0.6 mm

ブランド：

東芝

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

10000

サブカテゴリ：

MOSFET

Tags

SSM3J56A, SSM3J5, SSM3J, SSM3, SSM