TT8M3TR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSST-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

2.5 A, 2.4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

140 mOhms, 360 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

300 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

3.6 nC, 6.7 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.25 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.8 mm

長さ：

3 mm

製品：

MOSFET

タイプ：

パワーMOSFET

幅：

1.6 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

2.7 S, 2.4 S

立ち下がり時間：

17 ns, 45 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

17 ns, 25 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

28 ns, 55 ns

典型的なターンオン遅延時間：

9 ns, 9 ns

パーツ番号エイリアス：

TT8M3

Tags

TT8M, TT8