VS-ETF150Y65N

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

IGBTモジュール

JBoss：

Y

製品：

IGBTシリコンモジュール

構成：

ハーフブリッジ

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

650 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.7 V

25℃での連続コレクタ電流：

201 A

ゲートエミッタリーク電流：

600 nA

Pd-消費電力：

600 W

パッケージ/ケース：

EMIPAK-2B

最高作動温度：

+ 175 C

包装：

チューブ

ブランド：

ビシェイ半導体

取り付けスタイル：

シャーシマウント

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

製品タイプ：

IGBTモジュール

ファクトリーパックの数量：

60

サブカテゴリ：

IGBT

Tags

VS-ETF, VS-ET, VS-E