NSVBCP56-10T3G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-223-4

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

80 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

100 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

500 mV

最大DCコレクタ電流：

1 A

ゲイン帯域幅積fT：

130 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

160 at 150 mA, 2 V

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

63 at 150 mA, 2 V

Pd-消費電力：

1.5 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

4000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

NSVBCP, NSVBC, NSVB, NSV