MPS650G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-92-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

40 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

60 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.5 V

最大DCコレクタ電流：

2 A

ゲイン帯域幅積fT：

75 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

MPS650

高さ：

5.33 mm

長さ：

5.2 mm

包装：

バルク

幅：

4.19 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

2 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

75

Pd-消費電力：

625 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

MPS650, MPS65, MPS6, MPS