PD20010STR-E

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

5 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

利得：

11 dB

出力電力：

10 W

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerSO-10RF-Straight-4

包装：

リール

構成：

独身

動作周波数：

2 GHz

シリーズ：

PD20010-E

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

STMicroelectronics

感湿性：

はい

Pd-消費電力：

59 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

600

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

15 V

単位重量：

0.105822 oz

Tags

PD20010, PD2001, PD200, PD20, PD2