NVMFD5852NLWFT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DFN-5x6-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

44 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

5.3 mOhms, 5.3 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

36 nC, 36 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

27 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

シリーズ：

NVMFD5852NL

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

24 S, 24 S

立ち下がり時間：

5 ns, 5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

8 ns, 8 ns

ファクトリーパックの数量：

1500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

27 ns, 27 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12 ns, 12 ns

Tags

NVMFD5852, NVMFD585, NVMFD58, NVMFD, NVMF, NVM