NTHD3100CT3

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

N

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

ChipFET-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

3.9 A

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V, 8 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.1 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

製品：

MOSFET小信号

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

タイプ：

MOSFET

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

6 S, 8 S

立ち下がり時間：

10.7 ns, 11.7 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

10.7 ns, 11.7 ns

ファクトリーパックの数量：

10000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

9.6 ns, 16 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6.3 ns, 5.8 ns

単位重量：

0.002998 oz

Tags

NTHD3100CT, NTHD3100, NTHD310, NTHD3, NTHD, NTH