QS8J5TR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSMT-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

28 mOhms, 28 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

19 nC, 19 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.5 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

QS8J5

トランジスタタイプ：

2 P-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

立ち下がり時間：

55 ns, 55 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

40 ns, 40 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

90 ns, 90 ns

典型的なターンオン遅延時間：

9 ns, 9 ns

パーツ番号エイリアス：

QS8J5

Tags

QS8J, QS8