NPTB00004A

製品属性

属性値

メーカー：

MACOM

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

HEMT

テクノロジー：

GaN Si

利得：

16 dB

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

1.4 A

最高作動温度：

+ 200 C

Pd-消費電力：

11.6 W

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOIC-8

包装：

トレイ

動作周波数：

6 GHz

ブランド：

MACOM

感湿性：

はい

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.6 Ohms

ファクトリーパックの数量：

95

サブカテゴリ：

トランジスタ

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

- 1.6 V

単位重量：

0.007760 oz

Tags

NPTB0000, NPTB, NPT