FQP8N80C

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

800 V

Id-連続ドレイン電流：

8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.55 Ohms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

178 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

QFET

包装：

チューブ

高さ：

16.3 mm

長さ：

10.67 mm

シリーズ：

FQP8N80C

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

4.7 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

5.6 S

立ち下がり時間：

70 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

110 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

65 ns

典型的なターンオン遅延時間：

40 ns

パーツ番号エイリアス：

FQP8N80C_NL

単位重量：

0.063493 oz

Tags

FQP8N80C, FQP8N8, FQP8N, FQP8, FQP